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エレクトロニクス
MOSS分光エリプソメーター
MOSS分光エリプソメーター
Multilayer Optical Spectrometric Scanner(多層膜分光エリプソメーター)は白色光を光源とした分光タイプのエリプソメーターです。従来の半導体ラインを支えてきた単色光エリプソメーターに対して本装置は分光エリプソメーターとしてより複雑な膜構成の解析に対応できます。膜厚、膜質測定のスタンダード機として全世界で200台以上の実績を持ち、精度と信頼において他の追随をゆるしません。
日本国内におきましては各メーカーの研究所及び公共研究機関におきまして、薄膜の測定と解析に活躍しております。
研究開発用途から製造ラインでの品質管理用まで各種モデルを取りそろえております。また、オプションとしてin-situ (その場観察)バージョンも御用意しております。
用 途
リソグラフィー用素材解析 (g線、i線、各波長でのN,K評価)
TFT用膜解析 (SiN、SiO2、a−Si、p−Si)
化合物半導体解析 (AlGaAs、量子構造解析)
光学薄膜(反射防止膜、反射膜)
各種薄膜 (MgO、ITO....)
各種新素材 (超伝導用薄膜、磁気ヘッド薄膜)
共通仕様
光 源 :キセノン短アークランプ
波長範囲 :0.25μm〜0.85μm
分光器 :ダブルモノクロメーター
波長分解能:300nmで0.5nm
偏光子 :ロションプリズム、回転偏光子、光学エンコーダー
検光子 :ロションプリズム、ステッピングモーター
再現性 :cos(Δ) ±0.001、tan(Ψ) ±0.0015
主要オプション
マッピング :θ軸、ρ軸型自動ステージ 8"ウェハ対応
マイクロスポット:レンズ集光式、裏面反射除去
スポット径約80x250μm
UVオプション :STAND-UV (0.21 〜0.8μm)
DEEP-UV (0.192〜0.8μm)
IRオプション :NIR2(0.25 〜1.7μm)
OMA分光器 :1024ピクセルダイオードアレイ
シングルプリズムモノクロメーター
波長範囲 (0.35 〜1.05μm)
姉妹機
PUV システム :波長範囲 0.15μm〜0.6μm F2レーザーリソグラフィー用
GXR システム
:
微小角X線反射測定器 極薄膜解析用
FT-IRエリプソシステム :波長範囲 2μm〜17μm
FT-IR領域での薄膜測定
RT-SE システム :リアルタイム測定 in-situでの製膜制御など
WinElli :エリプソメーター解析用ソフトウェア
M O S Sシステム図
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